iPhone 6s

В iPhone 6S будет встроено два гигабайта LPDDR4

Популярный ресурс Gforgames, со ссылкой на некие тайваньские отраслевые источники, поделился новой информацией о возможных технических характеристиках iPhone 6S. Согласно информации издания, объём оперативной памяти устройства может возрасти с нынешнего одного гигабайта до двух, причём использоваться при этом будет модуль типа LPDDR4, что ещё более повысит эффективность работы устройства.

iPhone-6S-Mini

В настоящее время в iPhone применяется оперативная память типа DDR3 — дающая меньшую производительность системы, и не такая энергоэффективная, как более современное поколение. Технические характеристики у модулей этих стандартов действительно сильно различаются.

Так, предельная пропускная способность оперативной памяти формата DDR3 составляет 17 ГБ/с, в то время, как память DDR4, в теории, устанавливает верхнюю планку скорости передачи данных (если речь идёт о том самом стандарте LPDDR4) на уровне 34 ГБ/с, что позволит говорить о принципиально ином уровне  производительности, а значит — и новом уровне комфорта пользователя при работе с гаджетом.

Gforgames в числе прочего утверждает, что производителями модулей оперативной памяти для новых iPhone 6S и iPhone 6S Plus могут стать компании Hynix, Samsung и Micron-Elpida. Все они уже активно работают с Apple на ниве поставки электронных компонентов, включая и модули памяти, так что тут нет никакой сенсации.

Информации об iPhone 6S пока, разумеется, крайне мало — но мы будет делиться ею максимально оперативно!

You must be logged in to post a comment Login

Обсудить