iPhone 7

iPhone 7 может получить сверхбыструю память 3D NAND

Об iPhone 7 мы пока не знаем практически ничего, и в этом нет ничего удивительного — ведь до анонса устройства ещё больше года. Тем не менее, начинает появляться кое-какая информация, которую, по крайней мере, можно связать с предстоящим следующей осенью релизом. В данном случае, речь идёт о планах компаний Toshiba и SanDisk — поставщиков модулей памяти для смартфонов Apple.

iphone-7-hajek-2

Производители чипов объявили о том, что приступают к созданию 48-слойной флэш-памяти NAND-типа — впервые в мобильной индустрии. К примеру, такие компании, как Samsung, Intel и Micron используют на сегодняшний день только 32-слойную структуру 3D NAND, а SK Hynix освоила более продвинутую 36-слойную. Разработка же Toshiba и SanDisk является существенным технологическим шагом вперёд.

В создании новых чипов будут использованы вертикальная компоновка, 15-нанометровый литографический процесс, и технология TLC (она позволяет записывать на транзистор три бита информации). Результат — повышение как скорости работы чипов, так и их ёмкости для мобильных устройств. В теории, Toshiba и SanDisk вскоре смогут представить накопители для мобильных гаджетов, ёмкость которых достигнет одного терабайта.

Сейчас Toshiba уже форсированно модернизирует существующие заводы, чтобы начать производство новых модулей памяти в начале 2016 года — или, по крайней мере, в течение первого полугодия. Так что вполне возможно, что именно такая память нового поколения будет применена в iPhone 7.

Обсудить

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *